Китайский производитель ChangXin Memory Technologies (CXMT) запустил мелкосерийное производство чипов высокоскоростной памяти HBM3E. Об этом сообщает The Information со ссылкой на два источника, знакомых с ситуацией. Эта память критически необходима для вертикальной компоновки с ускорителями и непрерывного снабжения данными прожорливых больших языковых моделей. Данный шаг сокращает технологическое отставание ведущего чипмейкера КНР от лидеров рынка — Samsung, SK Hynix и Micron — примерно до одного поколения.
Китайские разработчики полупроводников оперативно приступили к тестированию и валидации компонентов. Полупроводниковое подразделение Alibaba (T-Head) и разработчик AI-чипов Cambricon уже ведут испытания модулей HBM от CXMT, рассчитывая наладить их коммерческое использование в собственных ускорителях к 2027 году. В случае успеха такая интеграция станет надежным выходом из-под действия жестких экспортных ограничений США, методично перекрывающих Китаю доступ к передовой зарубежной стековой памяти.
Однако переход от лабораторий к массовому производству остается сложнейшей задачей. Сокращая разрыв на бумаге, CXMT все еще отстает от мировых гигантов на 3–5 лет по производственной эффективности. Главным сдерживающим фактором остается крайне низкий выход годных кристаллов: в июне прошлого года агентство SemiAnalysis оценивало его всего в 25%. Кроме того, несмотря на привлечение $8,6 млрд в ходе IPO в Шанхае, CXMT демонстративно не заложила в проспекте эмиссии целевых расходов на HBM. Это означает, что путь Пекина к полной независимости в сегменте высокоскоростной памяти потребует внушительного объема самофинансирования, прежде чем технологии выйдут на промышленный уровень.